最近看新闻有很多报道中韩半导体的内容甚是吸引读者。前几天有报道三星电子在国内的出售额超过北美。这其中大部分是半导体的需求。华为也首次进入三星电子五大客户的名单之中，实在让韩国人又牛气了一把。那么在内存半导体技术方面，中韩之间的差距到底有多大？本篇文章将起底中韩半导体的技术水平。
首先来看一下销量占比最大的DRAM（动态随机存取存储器）。其技术目前已经达到了微细化的水平。现在10纳米级后半代已经开始量产。通常一张晶片上良品率确保达到80%以上才可以量产。
从20纳米过渡到18纳米，韩国公司的开发时间大约为2年。即使开发完成后要想确保达到80%的良品率还需要1年~1年半的时间。因为这个过程是重叠的，所以每代产品需要2年~2年半的时间差。即DRAM领先一代就相当于存在2年~2年半的技术差距。
再来看一下国内DRAM企业睿力集成（ INNOTRON）的情况。初期产品是20纳米级前代的DRAM，生产效果验证持续了6个月，如果增加到月产量10万张规模的话验证时间还要更长。正常量产应当在明年年末。现在与三星技术相比落后3代（6~7年半），与SK海力士相比落后2代（4~5年）。
这还是在明年按计划量产情况下的假定，即使量产之后能不能缩小技术差距是另一个问题。在睿力集成任职的技术人员大部分是台湾技术者，他们的DRAM开发经验并不是很丰富。
与台湾联华合资的国内DRAM企业福建晋华也一样。福建晋华使用的是比睿力更落后的32纳米技术。现在正开发25纳米级产品。核心技术来自镁光，所以发生专利诉讼并不是没有道理的。与睿力相比联华反而更有成长的可能性。因为其有DRAM代工的经验。
那么清华紫光集团旗下的长江存储（YMTC）是什么情况呢？ NAND闪存是其旗舰产品。 该公司的技术领导者是南亚科技，它是台湾第一家推出DRAM的公司。 集成了镁光的技术并建立南亚易胜。 它知道DRAM的技术到底有多难。
清华紫光也因此从相对容易的NAND闪存开始。 他们的技术能力似乎落后于业界第一的三星大概4~5年。 如果从技术追赶的角度来看，它不具备完备的开发人力，并由经验不足的台湾工程师构成，运营能力不及韩国工厂，所以要想缩小技术差距并不容易。 短期内将持续三到四年的技术差距。